برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

» :: برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده

در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد.

مقدمه

تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع) و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند.

خرید و دانلود محصول

1394/07/27

---

نانومتر , جمع کننده , جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری , Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology , ترانزیستور , گیت , ایمپلنت , مقاله برق , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی

---

لینک محصول

http://file724.zepo.ir/post/14779

لینک منبع :برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... google-markets.blogsky.com/1395/06/26/post-28921/‎Cached16 سپتامبر 2016 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... نتایج تالی سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... sakhtblog.lineblog.ir/.../جمع+کننده+کامل+1+بیتی+زیر+آستانه+ای+در+فناوری+CMOS+65+نانومتری‎Cachedجمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار ... جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... artisi.ir/article/12/4336.html‎Cached20 دسامبر 2014 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... frasm94a.alalestore.ir/page-52246.html 13 آگوست 2012 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... دسته: برق و الکترونیک فرمت فایل ترجمه شده: WORD (قابل ... جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... weblog24.site/.../جمع-کننده-کامل-1-بیتی-زیر-آستانه-ای-در-فناوری-CMOS-65-نانومتری.html‎Cachedجمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری. ... دسته برق الکترونیکفرمت فایل ترجمه شده فایل Word ورد 2007 یا 2003 Docx یا Doc قابل .... در روز 19 بهمن امسال در مراسمی با حضور فرماندارشازند، نماینده مجلس جمعی از مسئولان ... جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری firearticle.ir/.../جمع-کننده-کامل-1-بیتی-زیر-آستانه-ای-در-فن.html‎Cached20 دسامبر 2014 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... برق چکیده در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در ... ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى ... firearticle.ir/2015/ترجمه-مقاله-جمع-کننده-کامل-1-بیتی-زیر-آس.html‎Cached23 جولای 2015 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه ... ترجمه مقاله جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى ... amp.requestarticle.ir/.../ترجمه-مقاله-جمع-کننده-کامل-بیتی-زیر-آستانه-فناوری-تراشه-هاى-نیمه-هادى‎Cachedمقاله ترجمه شده با عنوان جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه ... 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری تراشه هاى نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى65 نانومتری. عنوان انگلیسی مقاله: ١-Bit Sub Threshold Full Adders in ۶۵nm CMOS Technology ... دسته: برق و الکترونیک ... از «dl19.ir» · دریافت «ترجمه مقاله جمع کننده . برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... persianfiles.ir/برق-19-جمع-کننده-کامل-1-بیتی-زیر-آستانه-ای-د/‎Cached13 آگوست 2016 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری برقوق برقع برقة اماراتی برقعی گرفتگی صنعتی شیراز تهران 195 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... mechanics.e02.ir/.../برق-19-جمع-کننده-کامل-1-بیتی-زیر-آستانه-ای-د.html 13 آگوست 2012 ... برق 19. جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 ... نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است.